TSM160N10LCR RLG - MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1072240 Pieces
Preço de referência
USD 0.26166
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Especificações para TSM160N10LCR RLG

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TSM160N10LCR RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 46A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4431pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 83W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PDFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : TSM16 , TSM160N1

Documentos para TSM160N10LCR RLG

Folhas de dados : TSM160N10LCR RLG.pdf

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