IPD80R1K0CEBTMA1 - MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Número da peça de fabricante

IPD80R1K0CEBTMA1

Número de peça interno

AX-IPD80R1K0CEBTMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

52668 Pieces

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Especificações para IPD80R1K0CEBTMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPD80R1K0CEBTMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Series : CoolMOS™

Status da Peça : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.7A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 83W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252-3

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPD80 , IPD80R1K

Documentos para IPD80R1K0CEBTMA1

Folhas de dados : IPD80R1K0CEBTMA1.pdf

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