SI3429EDV-T1-GE3 - MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3171070 Pieces
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Especificações para SI3429EDV-T1-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI3429EDV-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta), 8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
118nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4085pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
4.2W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI3429EDV-T1-GE3
Folhas de dados :
SI3429EDV-T1-GE3.pdf
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