SI3475DV-T1-E3 - MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
51438 Pieces
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Especificações para SI3475DV-T1-E3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI3475DV-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 950mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.61 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SI3475DV-T1-E3
Folhas de dados : SI3475DV-T1-E3.pdf
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