EPC2106ENGRT - GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-EPC2106ENGRT
Fabricante
Descrição breve
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
596435 Pieces
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Especificações para EPC2106ENGRT
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
EPC2106ENGRT
Fabricante :
EPC
Descrição :
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 600µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.73nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
75pF @ 50V
Potência - Max :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para EPC2106ENGRT
Folhas de dados :
EPC2106ENGRT.pdf
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