BSC072N03LDGATMA1 - MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
803265 Pieces
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Especificações para BSC072N03LDGATMA1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
BSC072N03LDGATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3500pF @ 15V
Potência - Max :
57W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8 Dual
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para BSC072N03LDGATMA1
Folhas de dados :
BSC072N03LDGATMA1.pdf
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