JAN1N6630US - DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
30611 Pieces
Preço de referência
USD 12.82644
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Especificações para JAN1N6630US

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : JAN1N6630US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
Series : Military, MIL-PRF-19500/590
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 900V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.4A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2µA @ 900V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, E
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5B
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : JAN , JAN1N

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Folhas de dados : JAN1N6630US.pdf

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