TPCF8B01(TE85L,F,M - MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
69355 Pieces
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Especificações para TPCF8B01(TE85L,F,M
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TPCF8B01(TE85L,F,M
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Series : U-MOSIII
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 10V
Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) : 330mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : VS-8 (2.9x1.5)
Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TPCF8B01(TE85L,F,M
Folhas de dados : TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf
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