SISH625DN-T1-GE3 - MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1724210 Pieces
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Especificações para SISH625DN-T1-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SISH625DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17.3A (Ta), 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
126nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4427pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8SH
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8SH
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SISH625DN-T1-GE3
Folhas de dados :
SISH625DN-T1-GE3.pdf
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