SIHB120N60E-GE3 - MOSFET N-CHAN 650V D2PAK TO-263
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CHAN 650V D2PAK TO-263
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
80620 Pieces
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Especificações para SIHB120N60E-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SIHB120N60E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN 650V D2PAK TO-263
Series :
E
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1562pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
179W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SIHB120N60E-GE3
Folhas de dados :
SIHB120N60E-GE3.pdf
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