IXTY1R4N120PHV - MOSFET N-CH
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
207820 Pieces
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Especificações para IXTY1R4N120PHV
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IXTY1R4N120PHV
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH
Series : Polar™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 86W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IXTY1R4N120PHV
Folhas de dados : IXTY1R4N120PHV.pdf
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