SI4823DY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Número da peça de fabricante

SI4823DY-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SI4823DY-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1724210 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.16272~~

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Especificações para SI4823DY-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI4823DY-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Series : LITTLE FOOT®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 10V

Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipação de energia (máx.) : 1.7W (Ta), 2.8W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI482 , SI4823D

Documentos para SI4823DY-T1-GE3

Folhas de dados : SI4823DY-T1-GE3.pdf

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