2N7635-GA - TRANS SJT 650V 4A TO-257
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-2N7635-GA
Fabricante
Descrição breve
TRANS SJT 650V 4A TO-257
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
52350 Pieces
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Especificações para 2N7635-GA
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : 2N7635-GA
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : TRANS SJT 650V 4A TO-257
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : -
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc) (165°C)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 324pF @ 35V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 47W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-257
Pacote / caso : TO-257-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para 2N7635-GA
Folhas de dados : 2N7635-GA.pdf
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