IRFHS8342TR2PBF - MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
11016 Pieces
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Especificações para IRFHS8342TR2PBF
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IRFHS8342TR2PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Series : HEXFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSDSON-6
Pacote / caso : 6-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IRFHS8342TR2PBF
Folhas de dados : IRFHS8342TR2PBF.pdf
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