FQI3N30TU - MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK

Número da peça de fabricante

FQI3N30TU

Número de peça interno

AX-FQI3N30TU

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

70005 Pieces

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Especificações para FQI3N30TU

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FQI3N30TU

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK

Series : QFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 300V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.13W (Ta), 55W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK (TO-262)

Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FQI , FQI3

Documentos para FQI3N30TU

Folhas de dados : FQI3N30TU.pdf

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