PHX8NQ11T,127 - MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
24353 Pieces
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Especificações para PHX8NQ11T,127
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : PHX8NQ11T,127
Fabricante : NXP USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 110V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 27.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para PHX8NQ11T,127
Folhas de dados : PHX8NQ11T,127.pdf
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