SISS06DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Número da peça de fabricante

SISS06DN-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SISS06DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

864010 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.32472~~

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Especificações para SISS06DN-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SISS06DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Series : TrenchFET® Gen IV

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.38 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V

Vgs (máx.) : +20V, -16V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3660pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8S

Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8S

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SISS0 , SISS06D

Documentos para SISS06DN-T1-GE3

Folhas de dados : SISS06DN-T1-GE3.pdf

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