BSZ900N20NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
623085 Pieces
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Especificações para BSZ900N20NS3GATMA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : BSZ900N20NS3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 62.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSDSON-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para BSZ900N20NS3GATMA1
Folhas de dados : BSZ900N20NS3GATMA1.pdf
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