SIS778DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
21994 Pieces
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Especificações para SIS778DN-T1-GE3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SIS778DN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1390pF @ 15V
Recurso FET : Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.) : 52W (Tc)
Temperatura de operação : -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SIS778DN-T1-GE3
Folhas de dados : SIS778DN-T1-GE3.pdf
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