SIA811DJ-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Número da peça de fabricante

SIA811DJ-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SIA811DJ-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

66075 Pieces

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Especificações para SIA811DJ-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIA811DJ-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Series : LITTLE FOOT®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 8V

Vgs (máx.) : ±8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 355pF @ 10V

Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipação de energia (máx.) : 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacote / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIA81 , SIA811D

Documentos para SIA811DJ-T1-GE3

Folhas de dados : SIA811DJ-T1-GE3.pdf

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