TPN1110ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Número da peça de fabricante

TPN1110ENH,L1Q

Número de peça interno

AX-TPN1110ENH,L1Q

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

755665 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.37128~~

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Especificações para TPN1110ENH,L1Q

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TPN1110ENH,L1Q

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Series : U-MOSVIII-H

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.2A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 114 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta), 39W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Pacote / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TPN1 , TPN1110

Documentos para TPN1110ENH,L1Q

Folhas de dados : TPN1110ENH,L1Q.pdf

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Número da peça	Marca	Descrição
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