SPP02N60C3HKSA1 - MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

Número da peça de fabricante

SPP02N60C3HKSA1

Número de peça interno

AX-SPP02N60C3HKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

65895 Pieces

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Especificações para SPP02N60C3HKSA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SPP02N60C3HKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

Series : CoolMOS™

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 80µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12.5nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 25W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3-1

Pacote / caso : TO-220-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SPP02 , SPP02N6

Documentos para SPP02N60C3HKSA1

Folhas de dados : SPP02N60C3HKSA1.pdf

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