IXTI10N60P - MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Número da peça de fabricante

IXTI10N60P

Número de peça interno

AX-IXTI10N60P

Fabricante

IXYS

Descrição breve

MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

8976 Pieces

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Especificações para IXTI10N60P

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IXTI10N60P

Fabricante : IXYS

Descrição : MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Series : PolarHV™

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 740 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1610pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 200W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-262 (I2PAK)

Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IXT , IXTI1

Documentos para IXTI10N60P

Folhas de dados : IXTI10N60P.pdf

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