IPT60R125G7XTMA1 - MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
210740 Pieces
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Especificações para IPT60R125G7XTMA1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
IPT60R125G7XTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
Series :
CoolMOS™ G7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 320µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
120W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-HSOF-8-2
Pacote / caso :
8-PowerSFN
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para IPT60R125G7XTMA1
Folhas de dados :
IPT60R125G7XTMA1.pdf
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