FDD4N60NZ - MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1159365 Pieces
Preço de referência
USD 0.241998
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Especificações para FDD4N60NZ

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : FDD4N60NZ
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Series : UniFET-II™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 114W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : FDD , FDD4

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