SIDC09D60E6YX1SA1 - DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
5304 Pieces
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Especificações para SIDC09D60E6YX1SA1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SIDC09D60E6YX1SA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
Series :
-
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
20A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 20A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
150ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
27µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Sawn on foil
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SIDC09D60E6YX1SA1
Folhas de dados :
SIDC09D60E6YX1SA1.pdf
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