SI8409DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP

Número da peça de fabricante

SI8409DB-T1-E1

Número de peça interno

AX-SI8409DB-T1-E1

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

948870 Pieces

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~~USD 0.29568~~

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Especificações para SI8409DB-T1-E1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI8409DB-T1-E1

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.6A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 4.5V

Vgs (máx.) : ±12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 1.47W (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-Microfoot

Pacote / caso : 4-XFBGA, CSPBGA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI84 , SI8409D

Documentos para SI8409DB-T1-E1

Folhas de dados : SI8409DB-T1-E1.pdf

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