IPDD60R050G7XTMA1 - MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10

Número da peça de fabricante

IPDD60R050G7XTMA1

Número de peça interno

AX-IPDD60R050G7XTMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

81855 Pieces

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Especificações para IPDD60R050G7XTMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPDD60R050G7XTMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10

Series : CoolMOS™ G7

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 800µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2670pF @ 400V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 278W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-HDSOP-10-1

Pacote / caso : 10-PowerSOP Module

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPDD6 , IPDD60R0

Documentos para IPDD60R050G7XTMA1

Folhas de dados : IPDD60R050G7XTMA1.pdf

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