TPC8113(TE12L,Q) - MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
6888 Pieces
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Especificações para TPC8113(TE12L,Q)
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TPC8113(TE12L,Q)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 107nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TPC8113(TE12L,Q)
Folhas de dados : TPC8113(TE12L,Q).pdf
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