TC58BYG2S0HBAI4 - 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
97355 Pieces
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Especificações para TC58BYG2S0HBAI4
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TC58BYG2S0HBAI4
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descrição : 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Series : Benand™
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Non-Volatile
Formato de memória : FLASH
Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória : 4G (512M x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 25ns
Tempo de acesso : 25ns
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 63-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 63-TFBGA (9x11)
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TC58BYG2S0HBAI4
Folhas de dados : TC58BYG2S0HBAI4.pdf
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