TK10A60W,S4VX - MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Número da peça de fabricante

TK10A60W,S4VX

Número de peça interno

AX-TK10A60W,S4VX

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

166995 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.68~~

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Especificações para TK10A60W,S4VX

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TK10A60W,S4VX

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição : MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Series : DTMOSIV

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.7A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 500µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 300V

Recurso FET : Super Junction

Dissipação de energia (máx.) : 30W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220SIS

Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TK10 , TK10A6

Documentos para TK10A60W,S4VX

Folhas de dados : TK10A60W,S4VX.pdf

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