SI2311DS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
11240 Pieces
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Especificações para SI2311DS-T1-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI2311DS-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
970pF @ 4V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
710mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI2311DS-T1-GE3
Folhas de dados :
SI2311DS-T1-GE3.pdf
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