BAS516,H3F - DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-BAS516,H3F
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
15281280 Pieces
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Especificações para BAS516,H3F
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
BAS516,H3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
250mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
3ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
200nA @ 80V
Capacitância @ Vr, F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SC-79, SOD-523
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ESC
Temperatura de funcionamento - junção :
150°C (Max)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para BAS516,H3F
Folhas de dados :
BAS516,H3F.pdf
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