1N5809US - DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-1N5809US
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
49650 Pieces
Preço de referência
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Especificações para 1N5809US
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : 1N5809US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para 1N5809US
Folhas de dados : 1N5809US.pdf
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