IPI045N10N3GXK - MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
22470 Pieces
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Especificações para IPI045N10N3GXK
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPI045N10N3GXK
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Series : OptiMOS™ 3
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 137A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 117nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8410pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 214W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO262-3
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPI045N10N3GXK
Folhas de dados : IPI045N10N3GXK.pdf
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