IPC302NE7N3X1SA1 - MOSFET N-CH 75V 1A SAWN ON FOIL

Número da peça de fabricante

IPC302NE7N3X1SA1

Número de peça interno

AX-IPC302NE7N3X1SA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 75V 1A SAWN ON FOIL

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

180870 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.551162~~

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Especificações para IPC302NE7N3X1SA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPC302NE7N3X1SA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 75V 1A SAWN ON FOIL

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Tj)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 270µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (máx.) : -

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : -

Temperatura de operação : -

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Sawn on foil

Pacote / caso : Die

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPC30 , IPC302NE

Documentos para IPC302NE7N3X1SA1

Folhas de dados : IPC302NE7N3X1SA1.pdf

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SR152A2R2CAA	AVX Corporation	CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
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