FCD9N60NTM - MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Número da peça de fabricante

FCD9N60NTM

Número de peça interno

AX-FCD9N60NTM

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

316330 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.886926~~

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Especificações para FCD9N60NTM

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FCD9N60NTM

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Series : SupreMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 385 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17.8nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 92.6W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FCD , FCD9N

Documentos para FCD9N60NTM

Folhas de dados : FCD9N60NTM.pdf

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