KLUFG8R1EM-B0C1 - UFS 2.1 512 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
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Descrição breve
UFS 2.1 512 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
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1-2 dias
Quantidade disponível
113000 Pieces
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Especificações para KLUFG8R1EM-B0C1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : KLUFG8R1EM-B0C1
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descrição : UFS 2.1 512 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
Series : DDR3
Versão : UFS 2.1
Densidade : 512 GB
Voltagem : 1.8 / 3.3 V
Interface : G3 2Lane
tamanho do pacote : 11.5 x 13 x 1.0 mm
Temp. : -25 ~ 85 °C
Status do produto : Mass Production
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para KLUFG8R1EM-B0C1
Folhas de dados : KLUFG8R1EM-B0C1.pdf
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