SI4435DDY-T1-E3 - MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1451960 Pieces
Preço de referência
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Especificações para SI4435DDY-T1-E3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI4435DDY-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : SI443 , SI4435D

Documentos para SI4435DDY-T1-E3

Folhas de dados : SI4435DDY-T1-E3.pdf

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