APT70GR65B2SCD30 - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
57774 Pieces
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Especificações para APT70GR65B2SCD30
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
APT70GR65B2SCD30
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Series :
*
Status da Peça :
Obsolete
Tipo IGBT :
NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
134A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
260A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 70A
Potência - Max :
595W
Energia de comutação :
-
Tipo de entrada :
-
Carga do Portão :
305nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
19ns/170ns
Condição de teste :
433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
T-MAX™ [B2]
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para APT70GR65B2SCD30
Folhas de dados :
APT70GR65B2SCD30.pdf
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