IPAN65R650CEXKSA1 - MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

Número da peça de fabricante

IPAN65R650CEXKSA1

Número de peça interno

AX-IPAN65R650CEXKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

359690 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.78~~

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Especificações para IPAN65R650CEXKSA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPAN65R650CEXKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

Series : CoolMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10.1A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 210µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V

Recurso FET : Super Junction

Dissipação de energia (máx.) : 28W (Tc)

Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220 Full Pack

Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPAN6 , IPAN65R6

Documentos para IPAN65R650CEXKSA1

Folhas de dados : IPAN65R650CEXKSA1.pdf

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