M474A1G43EB1-CPB - DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
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Fabricante
Descrição breve
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
83715 Pieces
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Especificações para M474A1G43EB1-CPB
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : M474A1G43EB1-CPB
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descrição : DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
Series : DDR3
DDR : DDR4
Tipo de DIMM : ECC SODIMM
Densidade : 8 GB
Terminou x Org. : 2R x 8
Rapidez : 2133 Mbps
Voltagem : 1.2 V
Número de Pin : 260
Composição componente : (512M x 8) x 18
Status do produto : EOL
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para M474A1G43EB1-CPB
Folhas de dados : M474A1G43EB1-CPB.pdf
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