PHKD3NQ10T,518 - MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
29029 Pieces
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Especificações para PHKD3NQ10T,518

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : PHKD3NQ10T,518
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 20V
Potência - Max : 2W
Temperatura de operação : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : PHKD , PHKD3NQ

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