NSB8JTHE3_A/P - DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
643550 Pieces
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Especificações para NSB8JTHE3_A/P
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : NSB8JTHE3_A/P
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para NSB8JTHE3_A/P
Folhas de dados : NSB8JTHE3_A/P.pdf
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