IAUC120N04S6N009ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
362120 Pieces
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Especificações para IAUC120N04S6N009ATMA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IAUC120N04S6N009ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7360pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : IAUC120 , IAUC120N04
Documentos para IAUC120N04S6N009ATMA1
Folhas de dados : IAUC120N04S6N009ATMA1.pdf
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