K4F4E3S4HF-GUCJ - 4 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
4 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
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1-2 dias
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Especificações para K4F4E3S4HF-GUCJ

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : K4F4E3S4HF-GUCJ
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descrição : 4 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production
Series : DDR3
Densidade : 4 Gb
Org. : x32
Rapidez : 3733 Mbps
Voltagem : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temp. : -40 ~ 125 °C
Pacote : 200FBGA
Status do produto : Mass Production
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : K4F4E , K4F4E3S

Documentos para K4F4E3S4HF-GUCJ

Folhas de dados : K4F4E3S4HF-GUCJ.pdf

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