CSD23202W10T - MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-CSD23202W10T
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1664550 Pieces
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Especificações para CSD23202W10T
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : CSD23202W10T
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 512pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-DSBGA (1x1)
Pacote / caso : 4-UFBGA, DSBGA
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para CSD23202W10T
Folhas de dados : CSD23202W10T.pdf
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