IPT65R195G7XTMA1 - HIGH POWERNEW

Número da peça de fabricante

IPT65R195G7XTMA1

Número de peça interno

AX-IPT65R195G7XTMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

HIGH POWERNEW

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

273760 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.024836~~

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Especificações para IPT65R195G7XTMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPT65R195G7XTMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : HIGH POWERNEW

Series : CoolMOS™ C7

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 240µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 996pF @ 400V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 97W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-HSOF-8-2

Pacote / caso : 8-PowerSFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPT65 , IPT65R19

Documentos para IPT65R195G7XTMA1

Folhas de dados : IPT65R195G7XTMA1.pdf

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Número da peça	Marca	Descrição
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