IRFHM830DTR2PBF - MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Número da peça de fabricante

IRFHM830DTR2PBF

Número de peça interno

AX-IRFHM830DTR2PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

10824 Pieces

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Especificações para IRFHM830DTR2PBF

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IRFHM830DTR2PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Series : HEXFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta), 40A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 50µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1797pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 37W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PQFN (3x3)

Pacote / caso : 8-VQFN Exposed Pad

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IRFHM , IRFHM83

Documentos para IRFHM830DTR2PBF

Folhas de dados : IRFHM830DTR2PBF.pdf

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