SIS892ADN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Número da peça de fabricante

SIS892ADN-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SIS892ADN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

919755 Pieces

Preço de referência

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Especificações para SIS892ADN-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIS892ADN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19.5nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8

Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIS89 , SIS892AD

Documentos para SIS892ADN-T1-GE3

Folhas de dados : SIS892ADN-T1-GE3.pdf

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